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at room temperature吉越 章隆; 寺岡 有殿
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 42(9A), p.5749 - 5750, 2003/09
被引用回数：2 パーセンタイル：10.7(Physics, Applied)Oの並進運動エネルギーによって誘起されるHF溶液によって処理したSi(001)表面の室温酸化を放射光光電子分光法と超音速分子線技術によって調べた。室温において、0.04eVの並進運動エネルギーでは、酸化は進まないことが分かった。一方、3.0eVの並進運動エネルギーの場合は、Si
, Si
及びSi
を含む最大Si
まで酸化が進むことが明らかとなった。最終的な酸化膜厚が0.26nmであることから、最表面のSi原子が酸化していることが明らかとなった。
分子ビームで誘起されるSi(001)室温酸化の反応ダイナミクス寺岡 有殿; 吉越 章隆
表面科学, 23(9), p.553 - 561, 2002/09
超音速O分子ビームと放射光光電子分光法を用いて、清浄及び水吸着Si(001)表面で起こるO分子の解離吸着に対するポテンシャルエネルギー障壁を調べた。両Si(001)表面の酸素飽和吸着量をO分子の並進運動エネルギーの関数として計測した。飽和量は両表面ともに入射エネルギーに依存して増加した。特に水吸着面の酸化では2つのエネルギーしきい値が観測された。清浄表面を第一のしきい値以下のエネルギーを持つOガスで酸化して得た飽和吸着面のSi-2p光電子スペクトルからシリコンダイマーのバックボンドに酸素が侵入するが、水吸着面では1.0eV以上の入射エネルギーでO分子が攻撃しなければダイマーはそのバックボンドが酸化されないということがわかった。このことから清浄表面ではダングリングボンド経由の吸着反応経路が開けるが、水吸着面ではHとOH終端のために酸化が抑制され1.0eVを越えるエネルギーが必要である。
molecular beams寺岡 有殿; 吉越 章隆
SPring-8 Research Frontiers 2000/2001, p.48 - 50, 2001/00
原研軟X線ビームラインBL23SUに設置した表面反応分析装置を用いてSi(001)面とO分子の反応を研究している。特にO分子の持つ並進運動エネルギーが初期酸化反応に与える影響を調べている。清浄Si(001)面が真空中の残留HO分子と反応して、HOがHとOHに解離して吸着した表面に対してO分子を解離吸着させ、その飽和吸着量とO分子の運動エネルギーとの関係を測定した結果、2つのしきい値を得た。一方はダイマーのバックボンドでの直接的な酸化,他方は第二層Siのバックボンドでの直接的な吸着と解釈された。しきい値で区別される3つの運動エネルギー領域でSi-2p光電子スペクトルを計測した結果、スペクトル形状が運動エネルギーに依存することがわかり、上記解釈の正当性が実証された。
Al(210) surface at room temperature using supersonic oxygen molecular beam; Real-time photoemission spectroscopic study with synchrotron radiationSyu, Y.*; 櫻井 惇也*; 寺岡 有殿; 吉越 章隆; 出村 雅彦*; 平野 敏幸*
no journal, ,
Intermetallic compounds (IMCs) usually have ordered crystal structure which differs from that of their constitute metals. Some of them have been reported to show good catalytic properties for some reactions, such as PtTi, NiSn, and NiAl, demonstrating that IMCs have potential as catalysts and/or catalyst precursors for chemical reactions. In this work, we investigate the initial oxidation process on a NiAl(210) surface at 298 K using a supersonic oxygen molecular beam and a real-time photoemission spectroscopy with synchrotron radiation. The time evolutions of O 1s, Ni 2p, Al 2p, and Ni 3p spectra indicate that both Al and Ni are oxidized, and AlO
and NiO are formed during the irradiation of oxygen molecules. The oxidation rate of Al is much higher than that of Ni at the beginning of oxidation, and then quickly saturates. In contrast, the oxidation of Ni progresses gradually for the whole measured period.
